| hscode |
申报名称 |
申报要素 |
| 9031410000 |
超声波影像检查仪 |
;;检测半导体器件;;HITACHI牌;FS100III |
| 9031410000 |
膜厚测量仪S3000SX |
境外品牌(其他);;备注;备注;RUDOLPH;S3000SX |
| 9031410000 |
硅片颗粒分析仪(旧) |
4|3|生产集成电路硅片表面测试用|利用光学散射原理,测量硅片表面颗粒的数量和粒径|TENCOR|168904|无GTIN|无CAS |
| 9031410000 |
晶片厚度测试仪（旧） |
4|3|用于硅晶片表面二氧化硅薄膜厚度的测量|收集反射硅片的光谱，与UV-1280SE数据库比对换算，芯片表面之薄膜厚度，折射率，消散系数等|KLA-TENCOR|UV1250SE |
| 9031410000 |
晶圆颗粒检测仪（旧） |
4|3|半导体生产中检测晶圆上的颗粒污染数目以及污染物直径大小|系统能容易侦测在晶圆表面(如氧化硅，氮化硅)上亚微米(sub-micron)级的微尘污染，能提供在抛光及磊晶硅表面上0.1微米级的感测度|带记录装置|Tencor|SFS6220|无GTIN|无CAS|无需报 |
| 9031410000 |
半导体晶圆检测仪器(旧) |
4|3|半导体晶圆检测|检测晶圆片表面的形状,线宽缺陷值|KLA-TENCOR|KLA2135-IS|无GTIN|无CAS|无其他必报要素 |
| 9031410000 |
半导体晶圆检查测量机（旧） |
4|3|以扫描式电子显微镜微观成像原理，作测量半导体晶圆表面金属线和孔的参数使用|以扫描式电子显微镜微观成像原理，作测量半导体晶圆表面金属线和孔的参数使用|Rudolph Technologies|MetaPULSE |
| 9031410000 |
半导体晶圆检查测量机（旧） |
4|3|以扫描式电子显微镜微观成像原理，作测量半导体晶圆表面金属线和孔的参数使用|以扫描式电子显微镜微观成像原理，作测量半导体晶圆表面金属线和孔的参数使用|Olympus|BHMJL |
| 9031410000 |
半导体晶圆检查测量机（旧） |
4|3|以扫描式电子显微镜微观成像原理，作测量半导体晶圆表面金属线和孔的参数使用|以扫描式电子显微镜微观成像原理，作测量半导体晶圆表面金属线和孔的参数使用|Nanometrics|Nanospec 6100 |
| 9031410000 |
半导体晶圆检查测量机（旧） |
4|3|以扫描式电子显微镜微观成像原理，作测量半导体晶圆表面金属线和孔的参数使用|以扫描式电子显微镜微观成像原理，作测量半导体晶圆表面金属线和孔的参数使用|Hitachi|S-9220 |
| 9031410000 |
半导体晶圆检查测量机（旧） |
4|3|以扫描式电子显微镜微观成像原理，作测量半导体晶圆表面金属线和孔的参数使用|以扫描式电子显微镜微观成像原理，作测量半导体晶圆表面金属线和孔的参数使用|Applied Materials|SEM Vision G2 |
| 9031410000 |
半导体晶圆检查测量机（旧） |
4|3|以扫描式电子显微镜微观成像原理，作测量半导体晶圆表面薄膜厚度使用|以扫描式电子显微镜微观成像原理，作测量半导体晶圆表面薄膜厚度使用|Nanometrics|NANOSPEC 6100 |
| 9031410000 |
半导体晶圆检查测量机(旧) |
4|3|以扫描式电子显微镜微观成像原理，作测量半导体晶圆表面金属膜的膜厚使用|以扫描式电子显微镜微观成像原理，作测量半导体晶圆表面金属膜的膜厚使用|KLA-Tencor|UV-1270SE |
| 9031410000 |
半导体晶圆检查测量机(旧) |
4|3|以扫描式电子显微镜微观成像原理，作测量半导体晶圆表面金属膜的膜厚使用|以扫描式电子显微镜微观成像原理，作测量半导体晶圆表面金属膜的膜厚使用|KLA-Tencor|KLA2135-UI |
| 9031410000 |
半导体晶圆检查测量机 （旧） |
4|3|以扫描式电子显微镜微观成像原理，作测量半导体晶圆表面金属线和孔的参数使用|以扫描式电子显微镜微观成像原理，作测量半导体晶圆表面金属线和孔的参数使用|Hitachi|S-9200 |
| 9031410000 |
半导体器件功率循环测试机 |
1|3|用于检测待测样品内引线焊接耐受高低温冲击能力|常温下对半导体器件做正向加电试验|杭州汉瑞|HR-1280 |
| 9031410000 |
光罩缺陷检测机（旧，光学检测） |
;;检测用;检测光罩(掩膜版)用;KLA Tencor;600 Series |
| 9031410000 |
自动晶粒分类挑拣机(旧) |
4|3|Chip form 挑拣分类|透过影像视觉定位搭配取放模块与顶针模块，实现将晶圆上不同规格的晶粒分选集中，再配合进出料装置实现自动上下片完成全自动功能|旺硅|M76A，于2011-4-21造，原价 1,750,000台币可使用120月,已使用82月,还可使用38月,残值率10% |
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自动晶粒分类挑拣机(旧) |
4|3|Chip form 挑拣分类|透过影像视觉定位搭配取放模块与顶针模块，实现将晶圆上不同规格的晶粒分选集中，再配合进出料装置实现自动上下片完成全自动功能|旺硅|M76A，于2010-8-18/26造，原价 1,750,000台币可使用120月,已使用90月,还可使用30月,残值率10% |
| 9031410000 |
自动晶粒分类挑拣机(旧) |
4|3|Chip form 挑拣分类|透过影像视觉定位搭配取放模块与顶针模块，实现将晶圆上不同规格的晶粒分选集中，再配合进出料装置实现自动上下片完成全自动功能|旺硅|M76A，于2010-11-23造，原价 1,750,000台币可使用120月,已使用87月,还可使用33月,残值率10% |
| 9031410000 |
科磊表面扫描仪(旧) |
4|3|半导体器件表面扫描|通过激光轮廓传感头发出激光，经线性准直物镜、圆柱形物镜等照射在半导体器件上方，光线聚焦后返回到传感器内CMOS模块处，检测半导体器件的表面缺陷|KLA TENCOR|SURFSCAN6200|||1994年生产/使用年限40年 |
| 9031410000 |
晶圆外观目检挑除机(旧) |
4|3|LED外观目检机|运用机器视觉做为检测标准技术，利用光学仪器取得成品表面状态，再以计算机影像处理技术来检出异物或图案异常等瑕疵|源兴|TG9801A-PF，于2011-3-1造，原价4,050,000台币可使用120月,已使用83月,还可使用37月,残值率10% |
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晶圆外观目检挑除机(旧) |
4|3|LED外观目检机|运用机器视觉做为检测标准技术，利用光学仪器取得成品表面状态，再以计算机影像处理技术来检出异物或图案异常等瑕疵|源兴|TG9801A-F，于2011-3-1造，原价4,050,000台币可使用120月,已使用83月,还可使用37月,残值率10% |
| 9031410000 |
旧帆宣自动光学缺陷分类机 |
4|3|用途:蓝宝石衬底缺陷检查用|功能:缺陷检查|帆宣牌|型号:MLE-2900|||8成新,制造日期:2013-08 |
| 9031410000 |
套准量测仪（旧） |
4|3|用于检测晶圆|利用光学原理，量测层间叠对是否良好|KLA Tencor牌|ARCHER AIM+/制造日期：2004年12月，已使用年限：14/剩余年限：26年/新旧程度：6成新/残值率：10%/原货物价值：350000美元 |
| 9031410000 |
半导体硅片检查仪（旧） |
4|3|用于观察、测量晶圆上，芯片加工过程中芯片表面缺陷，划痕，颗粒，异物等|用于观察、测量晶圆上，芯片加工过程中芯片表面缺陷，划痕，颗粒，异物等|品牌：OLYMPUS|型号：MX61L-F |
| 9031410000 |
半导体晶圆检测仪器(旧) |
4|3|用于半导体晶圆检测|检测晶圆片上每一层电路结构表面大尺寸缺陷值|KLA-Tencor|HRP-240|无GTIN|无CAS|非必报要素 |
| 9031410000 |
半导体晶圆检查测量机（旧） |
4|3|以扫描式电子显微镜微观成像原理，作测量半导体晶圆表面金属线和孔的参数使用|以扫描式电子显微镜微观成像原理，作测量半导体晶圆表面金属线和孔的参数使用|Nikon|OPTIPHOTO200 |
| 9031410000 |
半导体晶圆检查测量机（旧） |
4|3|以扫描式电子显微镜微观成像原理，作测量半导体晶圆表面金属线和孔的参数使用|以扫描式电子显微镜微观成像原理，作测量半导体晶圆表面金属线和孔的参数使用|Murakami Color Research Laboratory|CM-26PRO |
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半导体晶圆检查测量机(旧) |
4|3|以扫描式电子显微镜微观成像原理，作测量半导体晶圆表面金属线和孔的参数使用|以扫描式电子显微镜微观成像原理，作测量半导体晶圆表面金属线和孔的参数使用|Nikon|OPTISTATION-V |
詹生 
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