84.86  专用于或主要用于制造半导体单晶柱或晶圆、半导体器件、集成电路或平板显示器的机器及装置；本章注释十一（三）规定的机器及装置；零件及附件：

       10  —    制造单晶柱或晶圆用的机器及装置

       20  —    制造半导体器件或集成电路用的机器及装置

       30  —    制造平板显示器用的机器及装置

       40  —    本章注释十一（三）规定的机器及装置

       90  —    零件及附件

    本品目包括专用于或主要用于制造半导体单晶柱或晶圆、半导体器件、集成电路或平板显示器的机器及装置。但是，本品目不包括计量、检验、检查、化学分析等用的机器及装置（第九十章）。

    一、制造单晶柱或晶圆用的机器及装置。

    本组包括制造单晶柱或晶圆用的机器及装置，例如：

    （一）区域熔炼及精炼硅棒用的单体熔炉、对圆片表面进行氧化处理的氧化炉以及对晶圆进行掺杂处理的扩散炉。

    （二）晶体生长设备及拉晶机，用于生产切晶圆用的极纯半导体单晶柱。

    （三）晶体磨削机，用于磨削晶体单晶柱，使其符合晶圆所需直径精度，并用于研磨单晶柱的平面，以显示晶体的导电类型及电阻率。

    （四）晶圆切割机，用于将半导体材料的单晶柱切割成晶圆。

    （五）晶圆的磨削机、研磨机及抛光机，用于加工半导体晶圆，以备制造工序之用。通过上述加工，使晶圆的尺寸达到公差范围内，最关键的是其表面平整度。

    （六）化学机械抛光机（CMP），通过化学清除与机械抛光相结合将晶圆表面磨平及抛光。

    二、制造半导体器件或集成电路用的机器及装置。

    本组包括制造半导体器件或集成电路用的机器及装置，例如：

    （一）成膜设备，在制造加工过程中，在晶圆表面形成各种薄膜。这些薄膜在器件成品上用作导体、绝缘体及半导体。它们包括基片表面的氧化物及氮化物、金属及外延层。下列工序及设备并不限于某一类型薄膜的生成。

    1．氧化炉，用以在晶圆上形成氧化“膜”。晶圆的最外层分子与外加氧气或经加热的水蒸气发生化学反应，形成氧化物。

    2．化学气相沉积（CVD）设备。在加温条件下，将反应室内混合相应气体所得到的各种薄膜加以沉积，由此构成了一个热化学气相反应。操作可在大气压下或低压下（LPCVD低压化学气相沉积法）进行，也可利用等离子增强法进行（PECVD等离子增强化学气相沉积法）。

    3．物理气相沉积（PVD）设备，用以将汽化固体物所得到的各种薄膜加以沉积。例如：

    （1）蒸发设备，通过加热源材料产生薄膜。

    （2）溅射设备，利用离子对源材料（靶材）进行轰击产生薄膜。

    4．分子束外延（MBE）设备，在超真空环境下，利用分子束在加热的单晶质基片上生成外延层。其工艺与物理气相沉积法（PVD）相似。

    （二）掺杂设备，将掺杂质掺入晶圆表面，以改变半导体层的电导性或其他特性，例如：

    1．热扩散设备，在高温下注入气体，用以将掺杂剂掺入晶圆表面。

    2．离子植入机，以加速离子束的形式，将掺杂质“挤入”晶圆表面晶格结构中。

    3．退火炉，用以修复因离子植入而受损的晶圆晶格结构。

    （三）蚀刻及去膜设备，用以对晶圆表面进行蚀刻或清洁，例如：

    1．湿法蚀刻设备，利用喷涂法或浸入法敷上化学蚀刻材料。喷涂蚀刻机由于每次仅对一个晶圆进行加工，其蚀刻效果比浸入蚀刻机的效果更为一致。

    2．干法等离子蚀刻设备，蚀刻材料呈气态分布在等离子能量场内，产生一个各向异性的蚀刻剖面。干法蚀刻机采用多种不同方法，以生成气态等离子，用以清除半导体晶圆上的薄膜材料。

    3．离子束研磨设备，将电离气体原子加速撞击晶圆表面，撞击引起晶圆表面的最外层物理性地剥离。

    4．去膜机或灰化机。这类设备采用类似于蚀刻的技术，清除晶圆表面起“模版”作用后已失效的光刻胶。这种设备也可以清除各向同性蚀刻剖面上的氮化物、氧化物及多晶硅。

    （四）光刻设备，用以将电路图案转印到涂有光刻胶的半导体晶圆表面，例如：

    1．在晶圆上涂布光刻胶用的设备，包括将液态光刻胶均匀地涂布在晶圆表面上的旋转涂胶机。

    2．对已涂布光刻胶的带电路图案（或部分图案）的晶圆进行曝光的设备：

    （1）使用掩膜版或光掩膜，并将光刻胶曝光（通常用紫外线），有时用X射线：

    ①接触式光刻机，曝光时掩膜版或光掩膜与晶圆相接触。

    ②接近式光刻机，类似于接触式光刻机，只是掩膜版或光掩膜与晶圆之间不发生实际接触。

    ③扫描光刻机，采用投影技术，对扫过掩膜版与晶圆的一条连续运动的狭缝进行曝光。

    ④分步重复光刻机，采用投影技术，每次曝光晶圆的一部分。可将掩膜版缩小或1：1地对晶圆进行曝光。增强措施包括使用受激准分子激光器。

    （2）晶圆直接写入设备。这类装置不使用掩膜版或光掩膜进行操作，而是采用自动数据处理设备控制的“写入电子束”〔例如，电子束或称E-束、离子束或激光〕将电路图案直接“绘制”在涂布光刻胶的半导体晶圆上。

    （五）显影曝光晶圆用的设备，包括类似在照相暗室所用设施的化学显影浴槽。

    本品目还包括：

    1．离心机，用于将光刻胶旋转涂布在绝缘基片或晶圆上。

    2．丝网印刷机，用抗蚀刻油墨对绝缘基片进行印刷。

    3．激光划片机，用于将晶圆切割成片（芯片分割）。

    4．晶圆切割机。

    三、制造平板显示器用的机器及装置

    本组包括将基片制成平板，但不包括制造玻璃或者将印刷电路板或其他电子元件装配在平板上。

    本品目包括制造平板显示器用的机器及装置，例如：

    （一）蚀刻、显影、去膜或清洁用的装置。

    （二）投影、绘制或喷镀电路图案用的装置。

    （三）离心自旋干燥机或其他干燥器具。

    （四）涂布感光乳剂用的机器（涂胶机）。

    （五）掺杂用离子注入机 。

    （六）扩散、氧化、退火或快速加热用的炉、烘箱及其他设备。

    （七）化学气相沉积及物理气相沉积装置。

    （八）磨削及抛光用的机器。

    （九）切割、划片或划痕用的机器。

    四、本章注释十一（三）规定的机器及装置

    本组包括专用于或主要用于下列各方面的机器及装置：

    （一）制造或修复掩膜版及投影掩膜版（例如，摄制投影掩模版的器具（光电绘图仪）及修复掩膜版及投影掩膜版用的离子研磨机器）；

    （二）组装半导体器件或集成电路，例如：

    1．激光雕刻机，用于雕刻单片集成电路成品或分立半导体元件的塑料外壳。

    2．封装设备，例如，通过挤压芯片外围塑料材料制造芯片塑料外壳用的挤压机。

    3．引线接合器，利用超声波或电压焊将金线焊接到单片集成电路的触点上。

    4．晶圆凸点制程。通过该工序，切片前在整块晶圆上形成所有接点。

    （三）升降、搬运或装卸单晶柱、晶圆、半导体器件、集成电路及平板显示器（例如，用于输送、搬运及储存半导体晶圆、晶圆匣、晶圆盒及其他半导体器件用物料的物料自动搬运机器。）

    五、零件及附件

    除零件的归类总原则另有规定的以外（参见第十六类总注释），本品目包括本品目所列机器及装置的零件及附件。因此，归入本品目的零件及附件主要包括专用于或主要用于本品目所列机器及装置的工件或工具夹具及其他专用配件。